0.13微米快闪存储器切入市场

英特尔已经在市场销售采用0.13μm工艺技术制造出来的32兆位以及64兆位快闪存储器—“英特尔3VO1t Advanced+Boot Block快闪存储器”的样品。这一产品比较0.18μm工艺技术的产品其芯片尺寸缩小大约50％,特别适用于小型化而且低功耗诸如手机及其它相关电子产品。 手机需要大容量的快闪存储器。