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深亚微米CMOS将成为RFIC的候选技术
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摘要
依靠按比例缩小理论,CMOS现在已进入深亚微米至纳米时代,这不仅使CMOS数字集成电路达到Gb规模的集成度,而且由于器件工作频率的提高使CMOS技术有可能进入射频(RF)领域。 RF是radio frequency的缩写,现在RF已经替代微波而成为一个时髦的词。对RF的定义也在随着技术的发展而变化。过去,如果一个电子管制成的放大器的通频带超过600kHz,可以达到广播波段,就定义为射频放大器:而在今天。
作者
甘学温
赵冬燕
莫邦燹
出处
《世界产品与技术》
2002年第4期18-21,共4页
关键词
深亚微米
CMOS
RFIC
射频集成电路
噪声特性
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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