Si衬底上的HgCdTe光伏探测器

利用CdTe和GaAs中间外延层,首次在Si衬底上制作了HgCdTe红外光伏探测器。在热循环之后未观测到这些器件(截止波长为5.5μm,在80K时R_0A高达200Ωcm^2)有裂缝或衰变。次级离子质谱测定法和俄歇数据证明:CdTe缓冲层使中间GaAs外延层中Ga的扩散,不致在高达500℃的生长温度下无意中使p-HgCdTe转变为n型。