锑化铟光伏探测器中的应力感应漏电问题

下载PDF

导出

摘要用一个栅极可控二极管器件来研究外加应力对锑化铟(InSb)p^+/n光伏红外探测器的漏电影响。通过实验证实了外加应力与栅极之间在其对电流-电压(I-V)特性的影响方面是等效的。在p^+/n结附近,外加栅电压与感应电荷载流子密度之间引入一个显式解析关系式,并在液氮温度下、在一种栅电压和适宜应力下,利用瞬时测量I-V特性技术,取得了相当于某一给定应力下的局部感应表面及体内电荷载流子密度。对在压电-半导体器件中因栅电压或因应力感应所致的漏电位置也作了讨论。

作者陆荣铿

出处《红外与激光技术》 CSCD 1989年第2期52-55,共4页

关键词光伏探测器锑化铟感应漏电应力

分类号 TN361 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1在硅芯片上做文章[J].长春光学精密机械学院学报（科技信息版）,1998(1):32-32.
2王子欧,卫建林,毛凌锋,许铭真,谭长华.SILC Mechanism in Degraded Gate Oxide of Different Thickness[J].Journal of Semiconductors,2001,22(4):414-417.
3李国栋,季家红,田晓东.UPS开机后短时漏电问题的分析与处理[J].医疗装备,2004,17(11):29-29.
4半导体微电子技术与纳米技术[J].电子科技文摘,2005,0(12):35-41.
5杨存宇,王子欧,谭长华,许铭真.Degradation of P-MOSFETs Under Off-State Stress[J].Journal of Semiconductors,2001,22(1):25-30.
6仲华峰.电冰箱漏电故障分析[J].家庭电子,2005(07X):23-23.
7易萍.CCD输出二极管反向漏电机理的研究[J].半导体光电,2001,22(6):457-459.
8李志宏,武国英,陈文茹,郝一龙.VLSI多层互连可靠性　第二部分:应力感应失效[J].微电子技术,1994,22(3):1-16. 被引量：1
9马璇.仪器漏电引起的CMOS电路闩锁[J].电子元器件应用,2002,4(3):26-27.
10陈志勇,黄其煜,龚大卫.BCD工艺中的NMOS管结漏电问题的研究[J].电子与封装,2006,6(7):39-43. 被引量：1

红外与激光技术

1989年第2期

浏览历史

内容加载中请稍等...

锑化铟光伏探测器中的应力感应漏电问题

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史