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化学束外延(CBE)技术
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摘要
化学束外延是最近几年发展起来的一种新的外延技术.本文在把化学束外延与分子束外延和金属有机物化学气相淀积比较的基础上,介绍了化学束外延的基本原理、生长动力学过程和它的突出优点,同时总结了该技术在半导体材料和光电器件制备方面的应用,最后简要指出了目前它存在的不足之处.
作者
宋登元
机构地区
河北大学电子系
出处
《物理》
CAS
北大核心
1991年第1期23-28,共6页
Physics
关键词
化学束外延
分子束外延
MOCVD
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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1
曾焕添,J Cryst Growth,1989年,95卷,121页
2
曾焕添,IEEE Cir Dev Mag,1988年,4卷,5期,18页
3
曾焕添,Appl Phys Lett,1987年,50卷,1376页
4
曾焕添,Appl Phys Lett,1987年,51卷,761页
5
曾焕添,J Quant Electron QE,1987年,23卷,936页
6
曾焕添,Appl Phys Lett,1986年,49卷,170页
7
曾焕添,Appl Phys Lett,1986年,49卷,220页
8
曾焕添,Appl Phys Lett,1985年,46卷,1086页
9
曾焕添,Appl Phys Lett,1984年,45卷,1234页
1
宋登元.
化学束外延(CBE)的研究现状及其应用[J]
.半导体技术,1990,6(1):1-5.
2
韩汝水,付首清,张利强,余文斌.
CBE设备的控制系统[J]
.半导体情报,1991,28(6):82-84.
3
周增圻.
化学束外延在光电子技术应用中的进展[J]
.激光与红外,1995,25(4):6-10.
4
孙殿照,孔梅影,韩汝水,朱世荣,阎春辉,国红熙,付首清,周增圻,张晓秋,黄运衡,谢琪,刘世闯,雷震林,张利强,余文斌,乔金梁.
国内首台化学束外延(CBE)系统的设计考虑及外延结果[J]
.半导体情报,1991,28(6):79-80.
5
C J Summers,李玲.
HgCdTe化学束外延[J]
.红外,1994(6):14-19.
6
谢诗菁.
化学束外延[J]
.微细加工技术,1991(2):72-75.
7
钟景昌.
化学束外延及其在半导体材料与器件中的应用[J]
.半导体光电,1990,11(1):40-48.
8
李松法.
化学束外延介绍[J]
.半导体情报,1990(3):10-15.
9
孙殿照,阎春辉,国红熙,朱世荣,黄运衡,曾一平,孔梅影.
化学束外延生长GaAs/GaAs,InGaAs/GaAs,InP/InP,InGaAs/InP多量子阱材料[J]
.半导体情报,1991,28(6):46-48.
被引量:1
10
朱世荣,孙殿照,孔梅影.
CBE气态源炉的研制[J]
.真空,1992,29(4):34-37.
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