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应变层结构和新半导体器件

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摘要本文介绍了应变层结构的原理及其在半导体器件中的应用．由于轴应变使应变层结构的价带空穴表现出多样的特性，本文详细讨论了应变层量子阱的电子结构，着重指出了价带工程的可能应用．并介绍了高空穴迁移率晶体管、低阈值激光管等新器件的研制情况，以及几种典型的应变层结构材料．

作者郭宝增

机构地区河北大学电子系

出处《物理》 CAS 北大核心 1991年第3期155-158,共4页 Physics

关键词应变层结构半导体器件

分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]

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物理

1991年第3期

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