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NTD CZ-Si中辐照缺陷的控制与利用
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摘要
本文研究了直拉硅单晶和中子嬗变掺杂直拉硅单晶在1000℃、1100℃和1200℃不同恒温时间的退火行为,发现NTD CZ-Si在1100℃、4h退火即可完成内吸杂(IG)处理,并进行了简单的解释。
作者
张维连
徐岳生
机构地区
河北工学院
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991年第2期103-106,102,共5页
Chinese Journal of Rare Metals
关键词
NTD
CZ-SI
辐照缺陷
控制
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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被引量:1
稀有金属
1991年 第2期
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