NTD CZ-Si中辐照缺陷的控制与利用

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摘要本文研究了直拉硅单晶和中子嬗变掺杂直拉硅单晶在1000℃、1100℃和1200℃不同恒温时间的退火行为,发现NTD CZ-Si在1100℃、4h退火即可完成内吸杂(IG)处理,并进行了简单的解释。

作者张维连徐岳生

机构地区河北工学院

出处《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第2期103-106,102,共5页 Chinese Journal of Rare Metals

关键词 NTD CZ-SI 辐照缺陷控制

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稀有金属

1991年第2期

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