期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
直拉法生长单晶硅熔体流动实验模拟(下)
下载PDF
职称材料
导出
摘要
六、热对流及其与强迫对流的作用 (一)埚壁加热引起的热对流 ω_s=ω_c=0时,仅加热埚壁和冷却圆盘,液体产生自然对流环流。埚壁附近液体受热上浮,中心处圆盘下液体下沉。如图11所示。热对流强度由格拉晓夫数决定。
作者
程秋平
佘思明
机构地区
长沙矿冶研究院
中南工业大学
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991年第6期433-440,共8页
Chinese Journal of Rare Metals
关键词
单晶硅
直拉法
熔体流动
实验模拟
分类号
TN304.053 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
程秋平,佘思明.
直拉法生长单晶硅熔体流动实验模拟(上)[J]
.稀有金属,1991,15(5):364-370.
被引量:1
2
王健伟,万群,秦福.
采用温度测量的方法对直拉法熔体流动的研究[J]
.半导体技术,1992,8(1):62-64.
3
黄义贞.
生长单晶金刚石膜[J]
.电子材料快报,1995(4):3-4.
4
刘一声.
氮化铝薄膜的制作及其应用[J]
.电子材料(机电部),1995(1):36-42.
5
高忙忙,薛子文,李进,董法运,梁森,李海波,王丽.
感应加热制备太阳能级铸造准单晶硅熔体流动行为研究[J]
.人工晶体学报,2015,44(7):1941-1945.
被引量:4
6
杨瑞霞,韩应宽,孙聂枫,王书杰,王阳,李晓岚,孙同年.
非配比InP材料研究进展[J]
.半导体技术,2016,41(12):881-888.
7
利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法[J]
.无机盐工业,2006,38(12):33-33.
8
郑荣成,戴学斐(编译).
自动调节熔体流动的平衡性[J]
.现代塑料,2009(5):60-60.
9
金超花,朱彤.
旋转对Cz法硅晶生长过程中热输运和熔体流动影响的数值模拟[J]
.人工晶体学报,2015,44(1):31-37.
被引量:1
10
武壮文,郑安生,于洪国,赵静敏,袁泽海,张海涛.
掺Si补偿Cu高阻n-GaAs单晶[J]
.半导体技术,2007,32(11):961-963.
稀有金属
1991年 第6期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部