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硅中载流子浓度的红外自由载流子吸收测定法 被引量:1

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摘要 硅材料和硅器件的许多性质和性能都与载流子浓度有直接依赖关系。测定硅中载流子浓度已发展有许多方法,如四探针法、霍耳系数法,C-V法、光致荧光法、杂质吸收法等等。1958年吴仲墀等人利用室温下10.6μm处自由载流子的吸收系数α测定硅中载流子浓度,作者则采用在500~3500cm-1红外波段内测量的吸收系数α,得到了载流子浓度N。
出处 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第6期465-467,共3页 Chinese Journal of Rare Metals
  • 相关文献

参考文献1

  • 1吴仲墀,赵有源,高如芳,钱佑华.单晶硅的10.6μm光吸收系数与电阻率的关系[J]半导体学报,1985(03).

同被引文献13

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引证文献1

二级引证文献2

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