期刊文献+

大规模集成电路工艺中“鸟头”平坦化的研究 被引量:1

An Investigation into Iso-Planarization Technique in VLSI Process
下载PDF
导出
摘要 介绍了大规模集成电路 ( VLSI)工艺中“鸟头”的形成 ,研究了平坦化“鸟头”的原理和过程。着重讨论了平坦剂的选择和涂胶 ,以及利用干法刻蚀进行平坦化的各种参数 ,获得了实用的平坦化“鸟头”的工艺条件。“鸟头”高度由原来的 0 .7μm左右下降为 0 .2 5μm左右 。 Formation of 'bird head' in VLSI is described in the paper The principle of iso planarization and its process are investigated The selection of photoresist, film thickness and different parameters for plasma etching is discussed in detail Practical process conditions for iso planarization are obtained With this technique, the height of bird head is reduced from 700 nm to about 250 nm
出处 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期192-194,共3页 Microelectronics
关键词 大规模集成电路 工艺 “鸟头”平坦化 Iso planarization VLSI Isolation Isoplanar isolation
  • 相关文献

参考文献1

  • 1杨国渝.国外多层布线平坦化技术和通孔导通技术研究概况[J].微电子学,1986,16(5):27-30.

同被引文献3

引证文献1

二级引证文献1

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部