0.1μm CMOS技术的nMOSFET的热载流子效应
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2002年第1期70-70,共1页
Electronic Product Reliability and Environmental Testing
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1张卫东,汤玉生,郝跃.MOS器件热载流子效应的测试方法[J].西安电子科技大学学报,1997,24(4):509-514. 被引量:3
-
2高国平,曹燕杰,周晓彬,陈菊.电路级热载流子效应仿真研究[J].电子与封装,2014,14(4):42-44. 被引量:1
-
3薄仕群,林兆军.MOS器件的热载流子效应[J].河北大学学报(自然科学版),1994,14(2):42-46. 被引量:1
-
4刘卫东,魏同立,吴金,郑茳.NMOSFET低温阈值特性的研究[J].东南大学学报(自然科学版),1993,23(3):35-40.
-
5石广源,李严,李永亮,高嵩.VDMOSFET沟道区的研究[J].辽宁大学学报(自然科学版),2007,34(1):11-14. 被引量:1
-
6穆甫臣,薛静,许铭真,谭长华.MOSFET开态热载流子效应可靠性[J].半导体杂志,2000,25(4):51-59. 被引量:1
-
7杨肇敏,徐葭生.NMOS短沟DD结构热载流子效应的研究[J].Journal of Semiconductors,1989,10(7):489-496. 被引量:2
-
8索尼两款闪存式1080p全高清DV:SONY HDR-CX520V HDR-CX500V[J].数码,2009(8):39-39.
-
9马云峰.二十一世纪CMOS工艺发展趋势[J].电子计算机,1999(6):48-61.
-
10汪洋.CMOS技术中的光集成电路[J].世界产品与技术,2001(3):22-25.