期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
ESD技术沿着IC内核的小型化方向压缩I/O尺寸
ESD Technology Shrinks I/Os
下载PDF
职称材料
导出
摘要
自0.5μm CMOS工艺问世以来,I/O的尺寸基本上没有发生什么变化。目前,通过采用紧凑型的静电放电(ESD)设计技术,I/O可以与IC内核一道被压缩。 输入-输出晶体管是实现IC内核内部的小信号(以μA计)
作者
岳云
出处
《世界电子元器件》
2002年第3期33-34,共2页
Global Electronics China
关键词
ESD技术
IC
小型化
I/O尺寸
CMOS
静电放电
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
ESD抑制器提供30kV放电保护[J]
.今日电子,2015,0(10):68-68.
2
杨兵,罗静,于宗光.
深亚微米CMOS电路多电源全芯片ESD技术研究[J]
.电子器件,2012,35(3):258-262.
被引量:6
3
朱利丹.
何雅敬:首创ESD技术攻坚燃油净化[J]
.科技中国,2010(6):80-80.
4
Littelfuse宣布推出新型ESD抑制器系列[J]
.现代制造,2015,0(39):14-14.
5
王浩,卢晓东.
复合电压芯片的ESD保护技术[J]
.微电子技术,2001,29(6):39-42.
6
恩云飞.
一种新的失效分析技术——光辐射检测技术[J]
.电子产品可靠性与环境试验,1996,14(4):45-49.
被引量:1
7
业界新闻[J]
.今日电子,2004(12):131-142.
世界电子元器件
2002年 第3期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部