热红外探测器列阵的一种新的集成技术

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摘要当今用于批量制备非致冷红外焦平面列阵的标准技术就是将探测器单片集成在CMOS晶片上.所谓单片集成指的是在加工完CMOS晶片之后在其顶部直接加工探测器.这种方法的缺点是,探测器的所有后续加工步骤都必须与CMOS电路的制备相兼容.因而,任何涉及400℃以上温度的工序都是不允许有的,这样就限制了可选用的探测器材料的种类.

作者高国龙

出处《红外》 CAS 2002年第5期39-39,共1页 Infrared

关键词 CMOS 非致冷机红外焦平面列阵红外探测器热红外探测器列阵集成技术

分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]

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