低压功率MOSFET为电流处理效率确立新标准
出处
《电子产品世界》
2002年第06B期72-75,共4页
Electronic Engineering & Product World
-
1意法半导体(ST)新款100V晶体管提高汽车应用能效[J].半导体技术,2014,39(10):736-736.
-
2刘朝锋.短波宽带低压功率放大器的设计与实现[J].现代电子技术,2011,34(14):96-98. 被引量：4
-
3安森美半导体推出能降低损耗的低压功率MOSFET新系列,以达到业界更高能效的需求[J].电子设计工程,2014,22(11):133-133.
-
4高巧玲.同步整流在电动汽车无线充电中的应用[J].电子世界,2017,0(3):161-161. 被引量：1
-
5意法半导体(ST)新款100V晶体管提高汽车应用能[J].电子设计工程,2014,22(18):128-128.
-
6吴晓鹏,张娜.沟槽栅低压功率MOSFET的发展(上)——减小漏源通态电阻R_(ds(on))[J].中国集成电路,2008,17(5):19-26.
-
7张娜,吴晓鹏,亢宝位.沟槽栅低压功率MOSFET的发展(下)——减小优值FoM[J].电力电子,2004,2(4):10-14. 被引量：2
-
8吴晓鹏,张娜,亢宝位.沟槽栅低压功率MOSFET的发展(上)——减小漏源通态电阻R_(DS(on))[J].电力电子,2004,2(4):4-9.
-
9电源[J].电子设计应用,2007(1):134-135.
-
10张娜,吴晓鹏.沟槽栅低压功率MOSFET的发展(下)——减小器件优值FOM[J].中国集成电路,2008,17(6):45-50. 被引量：1
;
