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用于MEMS的选择性形成多孔硅技术的研究 被引量：4

Investigation of Selectively Forming Porous Silicon Used in MEMS
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摘要 提出了一套采用扩散工艺在低掺杂的硅衬底上选择性形成多孔硅牺牲层 ,并制作了 MEMS器件结构的工艺流程 ,进行了工艺流水 .对得到的结果进行了详细的讨论 .对于 Forming porous silicon selectively which is used as a sacrificial layer on the low doped silicon substrate by using diffusion process and then fabricating free standing microstructures is presented.A process run is made and the results of the experiment are discussed in detail.The technology of removal porous silicon using KOH solution is also studied.
作者 谢克文 王晓红 陈兢 刘理天
机构地区 清华大学微电子学研究所
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期668-672,共5页 半导体学报（英文版）
关键词 MEMS 多孔硅 扩散 牺牲层 掺杂 硅衬底 porous silicon diffusion sacrificial layer MEMS
分类号 TN304.05 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献7

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引证文献4

二级引证文献6

Journal of Semiconductors
2002年 第6期

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