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用于ULSI铜布线的化学机械抛光分析 被引量:2

Analysis and Study on CMP of Copper Interconnects for ULSI
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摘要 对ULSI中多层金属铜布线的CMP(化学机械抛光)进行了理论分析,介绍了Cu-CMP模型与机理及其动力学过程,抛光液的种类及其存在的问题,并对Cu-CMP的研究作了进一步探讨. The CMP of Copper interconnects in ULSI was analysised in thiery, with the detailed introduce of the model and mechamism of Cu-CMP, the processes of Kinetics, the types of slurry for Cu - CMP and the existed questions. At the same time, the investigate of Cu - CMP was discussed further.
出处 《河北工业大学学报》 CAS 2002年第1期33-37,共5页 Journal of Hebei University of Technology
基金 国家自然科学基金资助项目(60176033 ) 河北省自然科学基金资助项目(013605911)
关键词 ULSI 化学机械抛光 抛光液 ULSI copper chemical mechanical polishing slurry
  • 相关文献

同被引文献3

  • 1Wrschk P,Hernandez J.Chemical Mechanecal Planarization of CopperDamascene Strctures[J]. Journal of The Electrochemical Society, 2000,147(2):706-712.
  • 2Mendonca J,Dang C,Selinidis S.Process control challenges and solutions:TEOS W and CU CMP Materials Research Society Symposiumon Chemical-Mechanical Polishing,San Francisco,California,USA,1999(5-7):167-172.
  • 3王建荣,林必窕,林庆福.半导体平坦化CMP技术[M].台北:全华科技图书股份有限公司,1989.

引证文献2

二级引证文献8

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