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半导体器件中的量子隧道效应 被引量：4

Quantum tunnel effect in the semiconductor
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摘要 利用隧道效应器件的量子力学理论 ,说明了隧道效应电子在势垒区内部的行为 . Take advantage of quantum mechanics theory of tunnel effect device to explain action of tunnel effect electron in the potential area.
作者 齐吉泰
机构地区 绥化师范专科学校物理系
出处 《高师理科学刊》 2002年第2期23-26,共4页 Journal of Science of Teachers＇College and University
关键词 半导体 隧道效应 势垒 semiconductor tunnel effect potential barrier
分类号 O471.1 [理学—半导体物理]
  • 相关文献

参考文献8

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同被引文献33

引证文献4

二级引证文献2

高师理科学刊
2002年 第2期

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