摘要
电子回旋共振(ECR)等离子体法广泛用于SiO_2、Si_3N_4膜等的低温CVD技术,以及MOS器件的微细栅极刻蚀技术。在ECR等离子体法中,由于低气压下生成高离子化的等离子体,故以低能量、大的离子电流照射而能持续进行表面反应,然而以往的技术无法实现高质量的薄膜工艺。由于用固体靶溅射,靶材供给容易,进而把上述技术作为基础,开发了ECR溅射技术。
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1991年第3期57-62,35,共7页
Piezoelectrics & Acoustooptics