利用离子束溅射法制作CoSb3薄膜及其热电特性

为了合成CoSb3化合物薄膜，利用离子溅射法制作了Co／Sb多层薄膜，并在真空条件下于673K至773K温度范围内进行1－3h的退火。利用X射线衍射和透射电子显微技术评价了化学组分和退火条件对CoSb3相变的影响，研究了退火薄膜在高温下的热电特性。所得结果是：在70－85％Sb相当宽的组分范围内，成功地合成了CoSb3单相薄膜，CoSb3薄膜显现出P－型半导体特性，并且发现其热电转移特性几乎接近已报导的块材。研究还发现CoSb3薄膜的粒度、电导率和塞贝克系数取决于其退火后的化学组分。