摘要
研究了硫钝化对GaAs MESFET 直流特性的影响,并通过对钝化前后击穿电压的分析,认为负电荷表面态的增加减弱了栅靠漏一侧的电场强度,是导致器件击穿电压升高的原因。
In this paper, we investigated the electrical characteristics of GaAs MESFETpassivated by (NH4)2Sx solution. The increase of breakdown voltage after passivation is explainedby negativly charged surface-state effect.
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第7期61-64,共4页
Semiconductor Technology
关键词
硫钝化
GAASMESFET
击穿电压
负电荷表面态
sulfur passivation
GaAs MESFET
breakdown voltage
negativly charged surface-state effect
