摘要
应用等效模拟的方法建立了IGBTPSPICE仿真的直流模型和动态模型 ,对大功率IGBT的直流特性和动态特性进行了仿真分析 .模型的仿真值与器件的实际值相比 ,所有特性均较吻合 ,表明仿真模型适用于大功率IGBT的特性分析 .
DC and dynamic models of high power IGBT for PSPICE are presented,DC characteristics and dynamic characteristics are simulated.Comparing simulated results with test results,all characteristics are identical.So the models can be used in the simulation of high power IGBT.
出处
《同济大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期710-714,共5页
Journal of Tongji University:Natural Science
关键词
绝缘栅双极型晶体管
特性
仿真
模型
insulated gate bipolar transistor
characteristics
simulation
modelHK
