下一代光刻技术突破传统的光刻技术障碍：EUV蚀刻技术使最小线宽达30nm
出处
《微纳电子技术》
CAS
2002年第7期43-43,共1页
Micronanoelectronic Technology
-
1小薮国夫,陶德生.激光促进蚀刻技术[J].光电子技术与信息,1991(5):37-40. 被引量：1
-
2高晓萍.纳米级蚀刻技术[J].光机电世界,1994,11(4):3-6.
-
3吴秀丽.蚀刻技术[J].光机电信息,1995,12(8):8-11.
-
4杨基南.蚀刻技术[J].微细加工技术,1994(1):45-50.
-
5芯片的极限EUV被寄予厚望[J].个人电脑,2002,8(11):127-127.
-
6莫大康.下一代光刻技术将超过100纳米[J].集成电路应用,2002(2):39-42.
-
7Steve Kolokowsky,Trevor Davis.在手机屏幕上应用触控笔技术[J].集成电路应用,2011(7):40-41. 被引量：4
-
8刘林森.宽频:使网络更美好[J].网际商务,2001(23):34-37.
-
9彭祯艺.突破30纳米[J].互联网周刊,2004(28):56-56.
-
10张育川,张默君.新一代的蚀刻技术[J].影像科学与实践,1993(3):38-42.
