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GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs超晶格内施主束缚能的一维化计算

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摘要本文给出在有效质量近似下GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs超晶格内施主束缚能的一维化计算,把超晶格结构和各种不同外场不同的影响过渡为由哈密顿量中势能项V(r)的不同所代替,此结果具有一定的普遍意义。

作者焦善庆李树深潘留仙

机构地区西南交通大学物理系河北师范大学物理系益阳师专

出处《益阳师专学报》 1991年第1期37-41,73,共6页 Journal of Yiyang Teachers College

关键词超晶格施主束缚能 GAAS

分类号 O471.4 [理学—半导体物理]

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2陈曦,朱嘉麟.量子点中浅施主的能谱结构[J].物理学报,1994,43(6):1008-1016. 被引量：5
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益阳师专学报

1991年第1期

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