期刊文献+

纳米氧化锌薄膜的光致发光特性研究 被引量:5

STUDY OF LUMINESCENCE CHARACTERIZATION ON NANOCRYSTALLINE ZnO THIN FILMS
下载PDF
导出
摘要 本文报道了利用低压金属有机气相外延 ( L P-MOCVD)工艺首先在二氧化硅衬底上生长硫化锌 ( Zn S)薄膜 ,然后 ,将硫化锌薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化 ,制备高质量的纳米氧化锌 ( Zn O)薄膜 .X-射线衍射( XRD)结果表明 ,氧化锌具有六角纤锌矿晶体结构 .在 90 0℃退火的样品的光致发光 ( PL )中 ,在波长为 3 .3 e V处观察到一束强紫外光致发光和相当弱的深能级发射 .紫外发光强度与深能级发射强度之比是 80 ,表明纳米 Zn In this paper,high quality nanocrystalline ZnO film has been prepared by using thermal oxidation of ZnS thin film,which was grown on a SiO 2 subtract by the low pressure metalorganic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) technique.The X-ray diffraction (XRD) patterns show that ZnO thin film has a hexagonal wurtzite structure.In photoluminescence (PL) measurements,a strong PL with a full width at half maximum (FWHM) of 62 meV around 3.3 eV was observed from the samples annealed at 900℃ at room temperature.The PL intensity ratio of the UV emission to the deep-level emission is 80 at room temperature,providing evidence of the high quality of the nanocrystalline ZnO films.\;
机构地区 哈尔滨师范大学
出处 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2002年第3期27-30,共4页 Natural Science Journal of Harbin Normal University
关键词 纳米氧化锌薄膜 热氧化 光致发光 自由激子 晶体结构 能级发射 Nanocrystalline ZnO thin film \ Thermal oxidation Photoluminescence (PL) Free exciton
  • 相关文献

参考文献10

  • 1[1]D. M. Bagnail, Y. F. Chen, Z. Zhu et al. Appl. Phys. Lett. , 1997,70(17):2230
  • 2[2]Z.K. Tang, G. K. L. Wong, P. Yu et al. Appl. Phys. Lett.. 1998,72(25):3270
  • 3[3]L. Stolt, J. Hedstrm, J. Kessler et al. Appl. Phys. Lett.. 1993,62(6) :597
  • 4[4]S. Bethke, H. Pan, B. W. Wesseiset al. Appl. Phys. Lett., 1988,52(2) :138
  • 5[5]Y. Chen. D. M. Bagnall, H. J. Koh et al. J. Appl. Phys., 1998,84(7);3912
  • 6[6]P. Zu, Z. K. Tang, G. K. L. Wonget al. Solid State Commun.. 1997,103(8):459
  • 7[7]R. D. Vispute, V. Talyansky, S. Chooun et al. Appl. Phts. Lett., 1998,73(3):348
  • 8[8]R. G. Benz, P.C. Hung, S. R. Stock et al. J. Cryst. Growth, 1988. 86(1~4): 303
  • 9[9]C. Giannini, T. Peluso, C. Gerardi et al. J. Appl. Phys. , 1995, 77(6): 2429
  • 10[10]S. Cho, J. Ma, Y. Kimet al. Appl. Phys. Lett, 1999,75(18): 2761

同被引文献35

引证文献5

二级引证文献25

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部