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减少MOSFET开通损耗的输出电容优化曲线的研究 被引量:2

Optimization of Output Capacitance for Reducing the Energy Loss during MOSFET Turn-on
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摘要 介绍了利用输出电容的电荷存储效应来分析由于寄生输出电容的存在给MOSFET器件动态开通时带来的附加损耗 。 Applying the charge concepts of MOSFET's output capacitance,the additive power dissipation arising from the output capacitance when the MOSFET turns on at a high switching frequency is analyzed. Furthermore, the optimization of the output capacitance to reduce the energy loss is introduced.
机构地区 西安理工大学
出处 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2002年第3期72-75,共4页 Power Electronics
关键词 损耗 电容 优化设计/金属氧化物场效应晶体管 loss capacitance optimization design/MOSFET
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献2

  • 1陈星弼,功率MOSFET与高压集成电路,1990年
  • 2陈星弼功率MOSFET与高压集成电路[M].

共引文献5

同被引文献14

引证文献2

二级引证文献10

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