摘要
Single crystalline 3C-SiC epitaxial layers are grown on φ 50mm Si wafers by a new resistively heated CVD/LPCVD system,using SiH_4,C_2H_4 and H_2 as gas precursors.X-ray diffraction and Raman scattering measurements are used to investigate the crystallinity of the grown films.Electrical properties of the epitaxial 3C-SiC layers with thickness of 1～3μm are measured by Van der Pauw method.The improved Hall mobility reaches the highest value of 470cm 2/(V·s) at the carrier concentration of 7.7×10 17 cm -3 .
介绍了新近研制出的一种电阻加热式 CVD/ L PCVD Si C专用制备系统 ,并利用该系统以 Si H4、C2 H4和 H2 作为反应气体在直径为 5 0 m m的 Si(10 0 )衬底上获得了高质量的 3C- Si C外延材料 .用 X射线衍射和 Ram an散射技术研究了 3C- Si C外延膜的结晶质量 ,在 80～ 30 0 K的温度范围内利用 Van der Pauw方法对 1～ 3μm厚的外延膜的电学特性进行了测试 ,室温 Hall迁移率最高达到 470 cm2 / (V· s) ,载流子浓度为 7.7× 10 1 7cm- 3 .
基金
国家基础研究专项基金 ( No.G2 0 0 0 0 6 83)
国家高技术研究与发展基金 ( No.2 0 0 1AA3110 90 )资助项目~~
