期刊文献+

宽带GaAs三栅MESFET开关模型

Broadband Model of GaAs Triple Gates MESFET
下载PDF
导出
摘要 提出一种三栅 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,模型是根据三栅 MESFET开关器件的结构 ,考虑了栅极对微波信号的影响 ,适用于 MMIC开关电路的设计 ,具有很好的宽带微波特性 .器件测试值与模型模拟值吻合较好 . A model of switch using GaAs triple-gates MESFET is described.Based on the structure of the triple gates MESFET and the effect of the gate to RF transmitting,the model is suitable for MMIC design with broad frequency characteristic.The simulation and measurement results are in excellent agreement with each other.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期852-854,共3页 半导体学报(英文版)
关键词 开关模型 宽带 三栅MESFET 砷化镓 单片电路 switch model broadband triple gates MESFET
  • 相关文献

参考文献6

  • 1[1]Shifrin M B,Katzin P J.Monolithic FET structures for high power control component applications.IEEE Trans Microw Theory Tech,1989,37(12)
  • 2[2]Schindler M J,Kazio T E.A high power 2-18GHz T/Rswitch.IEEE Microw Theory Tech Digest,1990
  • 3[3]T Bryant D.A monolithic reduced size ku-band SPDT FETswitch.IEEE Trans Microw Theory Tech,1988:371
  • 4[4]Sun H J,Ewan J.A 2~18GHz monolithic variable attenuator using novel triple-gate MESFETs.IEEE Microw Theory Tech Digest,1990
  • 5[5]Mcgrath F,Varmazis C,Kermarrec C.Mutli gate FET power switches.Applied Microwave Summer,1991:77
  • 6[6]Yalcin Ayasli.Microwave switching with GaAs FETs.Mi-crow J,1982,25(11):61

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部