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ECR微波等离子体溅射沉积氮化铝的研究 被引量:1

Study of AIN Film by ECR Microwave Plasma Sputtering Deposition
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摘要 利用自制的ECR(电子回旋共振)微波等离子体溅射沉积装置,在氮气分压很低的条件下(2.6× 10-3~2.9 × 10-2Pa)成功地获得了透明绝缘的纯氨化铝膜。电阻率达1011 ·cm,折射率约为 2.05,膜的其他各项物理性能均达到了较好的指标. By use of the ECR microwave plasma sputtering deposition apparatus, pure and transparant AIN film have been produced at the very low partial pressure of Nitrogen gas (2.6×10-3~2.9× 10-2Pa). The electrical resistivity and the refrative index are about 1011 .Cm and 2.05 respectively. All the other physical properties of the film reach the good level. correspondent: Li Qi, Liaoning University, Shenyang 110036
机构地区 大连理工大学
出处 《真空》 CAS 北大核心 1991年第2期36-41,共6页 Vacuum
  • 相关文献

同被引文献2

  • 1Benjamin M C,Appl Phys Lett,1994年,64卷,3288页
  • 2Xu N S,Electron Lett,1993年,29卷,1596页

引证文献1

二级引证文献2

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