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电子束蒸发Ta_2O_5薄膜的实验研究
被引量：
1
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摘要
介绍用AES和XRD分析由电子束蒸发技术制备的氧化钽薄膜的成份、结构及其与ITO膜相互作用的情况。
作者
黄蕙芬
陈国平
机构地区
东南大学
出处
《真空电子技术》
北大核心
1991年第3期24-25,共2页
Vacuum Electronics
关键词
电子束蒸发
Tao膜
试验
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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