期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

适用于宽带应用的氮化镓晶体管

GaN Transistor Suitable for Broad-Band Application

下载PDF

导出

摘要氮化镓晶体管可耐受极度高温,并且其频率和功率特性远远高于硅、砷化镓、碳化硅、以及迄今为止所制造的所有半导体器件.此类器件的频率和功率处理能力对于为技术领域带来革命的高级通信网络中的放大器、调制器和其它关键器件非常重要.未来的无线网络基站就是一个很好的例子.

作者钟

出处《世界电子元器件》 2002年第8期44-46,共3页 Global Electronics China

关键词宽带氮化镓晶体管无线网络基站发光二极管砷化镓

分类号 TN325.3 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1科信.Qorvo研制新款塑封氮化镓晶体管,可提供性价比较高的雷达和通信系统解决方案[J].半导体信息,2015,0(4):5-5.
2高性能氮化镓晶体管研制成功[J].现代材料动态,2012(4):21-22.
3TriQuint推出新氮化镓晶体管可使放大器尺寸减小50％[J].中国集成电路,2013(1):9-10.
4金心.耐压超万伏的大功率——氮化镓晶体管[J].电世界,2009(6):53-53.
5高性能氮化镓晶体管研制成功[J].现代材料动态,2012(1):17-18.
6郑畅.宜普电源转换公司推出单片式氮化镓半桥器件[J].半导体信息,2014(6):26-27.
7风河和阿尔卡特-朗讯建立合作以提高无线网络的性能[J].电信技术,2010(11):72-72.
8科信.Cambridge Electronics发布氮化镓晶体管新产品[J].半导体信息,2015,0(4):4-5.
9英飞凌向中国通信市场推出新一代LDMOS晶体管[J].中国集成电路,2010,19(11):7-7.
10面向通信市场的高功率LDMOS晶体管[J].今日电子,2010(12):66-66.

世界电子元器件

2002年第8期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部