期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

VDMOSFET导通电阻的最佳化设计 被引量：3

OPTIMAL DESIGN OF ON-STATE RESISTANCE FOR VDMOSFET
下载PDF
导出
摘要 分析了VDMOSFET导通电阻模型 ,提出了单胞尺寸是影响导通电阻的最重要因素。单胞尺寸的最佳化选择可使器件的特征导通电阻RonA(单位面积导通电阻 )最小 ,并通过大量理论计算给出击穿电压为5 0V时的最佳单胞尺寸。 The important factor of the effects of on-state resistance of cell dimention is presented through the analysis of the model for VDMOSFET'S on-state resistance. Through the optimal election of cell dimension,the smallest special on-state resistance R onA (the on-state resistance of unit area) is obtained.In the meantime,the optimal cell dimention of BV DS =50 V is also given after large theoretical caculations.
作者 高雅君
机构地区 辽宁大学物理系
出处 《飞机设计》 2002年第2期48-51,共4页 Aircraft Design
关键词 导通电阻 设计 VDMOSFET 特征电阻 单胞尺寸 special resistance,vdmosfet,cell dimension.
分类号 TN301 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献6

  • 1[1]KRISHNA SHENAI,CHARLES S.KORMAN等.IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS.1989,10(3):101～103.
  • 2[2]Krishna Shenai.IEEE Transactions On Electron Devices.1990, 37(4):1141～1151.
  • 3[3]Krishna Shenai.IEEE Transactions on Electron Devices.1992,39(5):1252～1254.
  • 4[4]Kevin J. Fischer.Krishna Shenai.IEEE Transactions On Electron Devices,1995.42(3):555～563.
  • 5[5]S. C. SUN and JAMES D. PLUMMER.IEEE Transactions On Electron Devices.1980,27(2): 356～366.
  • 6[6]J. Rebollo, E. Figueras等. Solid-State Electronics.1987,30(2):177～180.

同被引文献14

  • 1王英,何杞鑫,方绍华.高压功率VDMOS管的设计研制[J].电子器件,2006,29(1):5-8. 被引量：17
  • 2弓小武,高玉民,罗晋生.IGBT和VDMOS解析模型和模拟[J].电力电子技术,1996,30(3):94-96. 被引量：4
  • 3[2]Lee Seung Chul,Jae Keun Oh,Soo Sung Kim,et al.Cascading structure of LDMOS and LIGBT for increasing the forward biased safe operating area[J].Solid-State Electronics,2002,46(10):1553-1556.
  • 4[3]J Y.Kim,S W Park,M C J ung,et al.Compare of SOI and SOSLIGBT structure for the thermal conductivity and self-heating characteristics[J].MicroelEc-tronics Reliability,2004,44(9):1479-1483.
  • 5[4]J M Park,S Wagner,T Grasser,et al.New SOI lateral power devices with trench oxide[J].Solid-State Electronics,2004,48 (6):1007-1015.
  • 6[5]Ey Goo Kang,Man Young Sung.A small sized lateral trench electrode IGBT for improving latch-up and breakdown characteristics[J].Solid-StateElectronics,2002,46(2):295-300.
  • 7[6]D M Garner,F Udrea,H T Lim,et al.An analytic model for turn off in the silicon-on-insulator LIGBT[J].Solid-State Electronics,1999,43(10):1855-1868.
  • 8施敏,黄振岗. 半导体器件物理[M]. 北京:电子工业出版社, 1987.(Sh i M, Huang Z G. Physics of semiconductor devices. Beijing:Electronic Industry Press, 1987)
  • 9陈星弼,功率MOSFET与高压集成电路[M],南京:东南大学出版社,1989.
  • 10Bo Zhang.Power Semiconductor Devices and Smart Power ICs[M].成都:电子科技大学出版社,2002.

引证文献3

二级引证文献7

飞机设计
2002年 第2期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部