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磁性多层膜中SiO_2/Ta界面反应及其对缓冲层的影响 被引量：3

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摘要 磁性多层膜常以金属Ta作为缓冲层.利用磁控溅射方法在表面有 300nm厚SiO2氧化膜的单晶硅（100）基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜.采用X射线光电子能谱（XPS）对该薄膜进行了深度剖析,并且对获得的Ta4f和Si　2p的高分辨XPS谱进行计算机谱图拟合分析.结果表明在SiO2/Ta界面处发生了化学反应:15 SiO2+37Ta=6Ta2O5+5Ta5Si3,该反应使得界面有“互混层”存在,从而导致诱发NiFe膜（111）织构所需的Ta缓冲层实际厚度的增加.
作者 于广华 马纪东 朱逢吾 柴春林
机构地区 北京科技大学材料物理系 中国科学院半导体研究所
出处 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第13期978-980,共3页 Chinese Science Bulletin
基金 本工作为国家自然科学基金(批准号:19890310) 北京市自然科学基金(批准号:2012011)资助项目
关键词 磁性多层膜 缓冲层 SiO2/Ta界面 界面反应 X射线光电子能谱 界面结构 磁控溅射法 巨磁电阻效应
分类号 TM271 [一般工业技术—材料科学与工程]
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参考文献18

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同被引文献57

引证文献3

二级引证文献7

科学通报
2002年 第13期

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