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利用深度反转层反馈晶体管直接测量场效应管阈值电压

Direct Measurement of Threshold Voltages of Field Transistor Using Transistors with Feedback of Deep Inversion

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摘要简介传统上,采用多晶硅栅极的场效应管利用场区LOCOS边缘的重叠来连接在薄的栅氧化区(图1)制造的N+型或P+型源极区和漏极区.由于深亚微米工艺发展使得栅极氧化区的厚度仅有7nm或更薄,而凹形衬底又是高度掺杂的,因此场阈值(25伏或更高)变得比栅极氧化区的击穿电压(15伏或更低)还要高.

作者 John Ellis

机构地区 Zalink公司

出处《世界电子元器件》 2002年第7期48-49,共2页 Global Electronics China

关键词多晶硅栅极栅极氧化层深度反转层反馈晶体管场效应管阈值电压

分类号 TN386.4 [电子电信—物理电子学]

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世界电子元器件

2002年第7期

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