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应用材料公司推出全新PVD沉积系统
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摘要
应用材料公司日前宣布推出Endura Ventura MPVD系统。该系统沿袭了应用材料公司的PVD技术,并融入了公司最新创新成果,能够完成连续薄的阻挡层和种子层的硅通孔(TSV)沉积,帮助客户以更低廉的成本制造出体积更小、功耗更低、性能更高的集成3D芯片。Ventura系统还与众不同地采用钛作为阻隔材料,从而在量产的情况下很好的实现降低成本的目的,
出处
《中国集成电路》
2014年第7期4-4,共1页
China lntegrated Circuit
关键词
应用材料公司
沉积系统
PVD技术
3D芯片
阻隔材料
低成本
种子层
阻挡层
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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.现代材料动态,2010(3):10-10.
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严光能.
PVD技术在CCL中的应用研究[J]
.印制电路信息,2008,16(2):28-31.
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陈鑫,王国兴.
3D芯片设计与量产测试方法分析[J]
.集成电路应用,2015,32(7):34-38.
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.中国集成电路,2011,20(10):6-7.
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.上海师范大学学报(自然科学版),2016,45(2):180-185.
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Roger Allan.
3D封装缩小芯片封装的技术[J]
.集成电路应用,2015,0(12):30-33.
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侯立刚,李春桥,白澍,汪金辉,刁麓弘,刘伟平.
防串扰的3D芯片TSV自动布局[J]
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中国集成电路
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