三星与意法半导体签署战略协议

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摘要意法半导体（ST）和三星电子株式会社近日签署了28nm全耗尽型绝缘层上硅（FD—SOI）技术多资源制造全方位合作协议。

出处《中国集成电路》 2014年第7期5-5,共1页 China lntegrated Circuit

关键词意法半导体合作协议三星电子绝缘层上硅株式会社耗尽型

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中国集成电路

2014年第7期

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