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电子辐照对槽栅IGBT器件参数影响分析 被引量:1

Analysis of irradiation to Trench IGBT parameters
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摘要 功率器件IGBT由于其优异特性而广泛应用于电机、电焊机和功率开关等领域,是功率器件的主流产品之一。本文首先介绍了电子辐照技术在改善IGBT关断时间的应用,以及该技术在槽栅IGBT应用中出现的异常现象,并提出了改善此类异常现象的器件制造方法。 IGBT is one of the mainstream products for power device. Because of its excellent specific property it is widely applied to electric motors, welding machine and power switch, etc. This text introduces the electron irradiation technology applicable to control IGBT off time, and the abnormal phenomenon in the application to trench IGBT, and also put forward a way to improve the trench IGBT
出处 《中国集成电路》 2014年第7期58-61,共4页 China lntegrated Circuit
关键词 绝缘栅晶体管 电子辐照技术 关断时间 IGBT irradiation technology off time
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参考文献6

二级参考文献57

  • 1李瑞珉,杜磊,庄奕琪,包军林.MOSFET辐照诱生界面陷阱形成过程的1/f噪声研究[J].物理学报,2007,56(6):3400-3406. 被引量:14
  • 2Oldham T R, McLean F B 2003 IEEE Trans. Nuclear Science 50 483
  • 3Barnaby H J 2006 IEEE Trans. Nuclear Science 53 3103
  • 4Rashkeev S N, Cirba C R, Fleetwood D M, Schrimpf R D, Witczak S C, Michez A, Pantelides S T 2002 IEEE Trans. Nuclear Scieuce 49 2650
  • 5Hjalmarson H P, Pease R L, Witczak S C, Shaneyfeh M R, Schwank J R, Edwards A H 2003 IEEE Trans. Nuclear Science 50 1901
  • 6Chen X J, Bamaby H J, Vermeire B, Holbert K, Wright D, Pease R L 2007 IEEE Trans. Nuclear Science 54 1913
  • 7Fleetwood D M, Meisenheimer T L, Scofield J H 1994 IEEE Trans. Electron Devices 41 1953
  • 8Scofield J H, Doerr T P, Fleetwood D M 1989 IEEE Trans. Nuclear Science 36 1946
  • 9Klein R B, Saks N S, Shanfield Z 1990 IEEE Trans. Nuclear Science 37 1690
  • 10Naruke K, Yoshida M, Maeguchi K, Tango H 1983 IEEE Trans. Nuclear Science 30 4054

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