半导体使用气三氟化砷的研制

以砷单质和氟气为原料,采用气固法制备三氟化砷,研究了反应温度和反应物氟气压力对反应的影响。结果表明,制备AsF3的最佳条件:反应过程温度控制在300℃左右,氟气压力控制在0.1MPa。此条件下,得到纯度99%以上的三氟化砷产品。