摘要
日本太阳日酸公司与名古屋工业大学签订了共同研究契约,研究在大直径硅基板上生长GaN薄膜的批量生产技术和功率器件的评价技术。GaN与SiC一样,作为替代硅系材料的下一代节能器件用材料,其开发正在进行。特别是GaN,期待用于空调、照明、手机、汽车电装品等中低压领域。在同名古屋工业大学的共同研究中,将使用太阳日酸公司生产交付给名古屋工业大学产学官联合成立的“氮化物半导体多业务创生中心”的具有世界最大处理能力的MOCDV(有机金属气相生长)装置。
出处
《现代材料动态》
2014年第8期10-10,共1页
Information of Advanced Materials