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联电被授权55nm可穿戴闪存芯片工艺
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摘要
据报道，联电从赛普拉斯（CypressSemiconductor）半导体公司获得55nm工艺的可穿戴闪存芯片授权。
出处
《中国集成电路》
2014年第8期8-8,共1页
China lntegrated Circuit
关键词
闪存芯片
工艺
授权
半导体公司
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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中国集成电路
2014年 第8期
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