期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

英飞凌推出第五代1200 V thinQ!^(TM)碳化硅肖特基二极管

下载PDF

导出

摘要 2014年6月英飞凌科技股份公司推出第五代1 200 V thinQ!TM碳化硅肖特基二极管。在工作温度范围内提供超低正向电压,其浪涌电流承受能力提高了一倍以上,且散热性能良好。该产品可以在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、三相SMPS（开关电源）和电机驱动等应用中提高效率,

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期615-615,共1页 Semiconductor Technology

关键词肖特基二极管第五代碳化硅工作温度范围不间断电源股份公司正向电压承受能力

分类号 TN311.7 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1Ilia Zverev Junyang Luo,Meng Kiat Jeoh.适合SMPS应用的thinQ碳化硅肖特基二极管[J].电子设计应用,2003(7):73-74.
2英飞凌推出第五代1200 V thinQ!^(TM)碳化硅肖特基二极管[J].电子设计工程,2014,22(12):179-179.
3英飞凌推出第三代SiC萧特基二极管[J].电子与电脑,2009(3):65-65.
4碳化硅肖特基二极管，帮助降低电源转换系统成本[J].今日电子,2009(4):91-91.
5采用TO-220 FullPAK全隔离封装的第二代ThinQ!碳化硅肖特基二极管[J].电子设计工程,2010,18(6):163-163.
6郑冬冬.英飞凌成功推出第五代thinQ TMSiC肖特基势垒二极管[J].半导体信息,2012,0(5):12-12.
7科锐推出封装型1,700V碳化硅肖特基二极管[J].现代显示,2012(2):42-42.
8张宝财,崔同,赵杰,李东华.塑封碳化硅肖特基二极管粘片工艺[J].电子技术与软件工程,2016(24):106-107. 被引量：1
9英飞凌推出第五代1200VthinQ碳化硅肖特基二极管[J].变频技术应用,2014,9(3):46-47.
10Cree推出新型650V碳化硅肖特基二极管助力先进高能效数据中心电源系统设计[J].现代显示,2011(1):56-56.

半导体技术

2014年第8期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部