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SiC整流器件发展现状及展望

Developing Present Situation and Prospect of SiC Rectifier Device
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摘要 阐述了碳化硅(SiC)材料的优异特性,并在此基础上,针对目前处于商业化热点的SiC整流器件,进行了重点介绍,分析了国内外发展现状,并对未来发展趋势做出展望。 This article expounds the excellent properties of silicon carbide (SiC) materials. On this basis, the SiC rectifier devices is mainly introduced, which is the commercial hot spots now. Finally it analyzes the current situation of development both at home and abroad, and makes a prospect for the future development trend.
作者 耿凯鸽
出处 《山西电子技术》 2014年第4期93-94,共2页 Shanxi Electronic Technology
关键词 宽禁带半导体 碳化硅 整流器件 wide bandgap semiconductor SiC rectifier device
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  • 1S.博斯,L.伊姆列,H.欧斯特曼,P.英格拉姆,王培清.SONIC-新一代快恢复二极管[J].电气技术,2006,7(7):87-90. 被引量:2
  • 2R.Raghunathan,D.Alok,B.J.Baliga."High Voltage 4H-SiC Schottky Barrier Diodes"[].IEEE Electro Devices.1996
  • 3L.Zhu,T.P Chow."Design and Processing of High Voltage 4HSiC Trench Junction Field Efect Transistor"[].Journal of Materials Science.2002
  • 4A.Mihaila,et al."Static Behavior of SiC JFET/Si MOSFET Cascade Configuration for High-Performance Power Switches"[].Material Science Forrum.2002
  • 5Li Y,Cooper J A,Capano M A.High-voltage (3 kV) UMOSFETs in 4H-SiC[].IEEE Transactions on Electron Devices.2002
  • 6张清纯,张斌,王晓彬.新型大功率快速软恢复二极管:SIOD[J].半导体技术,1998,23(1):30-34. 被引量:3
  • 7张海涛,张斌,王均平.采用缓冲层结构的软恢复二极管研究[J].电力电子技术,2003,37(2):79-81. 被引量:9

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