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意法半导体(ST)推出先进的1200V IGBT可实现更长的使用寿命、节省更多能源

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摘要 意法半导体最新的1200V绝缘栅双极晶体管(IGBT,Insulated—GateBipolar Transistors)借助第二代沟栅式场截止型高速技术提升太阳能逆变器、电焊机、不间断电源和功率因数校正(PFC,Power—FactorCorrection)转换器等应用的能效和耐用性。
出处 《UPS应用》 2014年第8期12-12,共1页 UPS Applications
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