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忆阻器及其阻变机理研究进展 被引量:24

Research progress of memristors and memristive mechanism
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摘要 忆阻器是除电阻、电容、电感之外的第四种电路元件,在信息存储、逻辑运算和神经网络等研究领域具有重要的应用前景.本文综述了忆阻器以及忆阻器材料的研究进展,主要介绍了忆阻器的内涵与特征、阻变机理、材料类型以及应用前景,指出了目前忆阻器研究中需要关注的主要问题,并对以后的发展趋势进行了展望. Memristors are the fourth basic circuit element in addition to the three classical elements: resistor, capacitor, and inductor, which have great application prospects in the fields of information storage, logic operations and neuromorphic networks. The recent development of memristors and memristive mechanism is reviewed, including connotations and characteristics of memristors, memristive mechanism, types of memristive mateirals, and application prospects of memristors. Finally, the key problems and development proposals are presented and a prospect on the development trend is also given.
出处 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第18期16-24,共9页 Acta Physica Sinica
基金 国家自然科学基金(批准号:21203248) 湖南省高校科技创新团队支持计划资助的课题~~
关键词 忆阻器 阻变机理 电阻开关 忆阻器材料 mcmristors, memristive mechanism, resistive switching, memristive materials
  • 相关文献

参考文献98

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共引文献1

同被引文献125

引证文献24

二级引证文献23

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