以石墨烯实现GaN在Si（100）基板上的生长

GaN、InN、AiN等氮化物半导体应用于LED中具有独特的性能。以硅为衬底形成的氮化物半导体因其效率高、耐压性强、环保等特点。在现在以及未来社会能源领域中的应用引起了广泛的关注，但是在Si（100）基板上直接生长缺陷少的GaN结晶非常困难。