摘要
过去,我厂在硅整流元件的硼扩散工艺中,根据资料及兄弟单位经验,要扩90-100微米,取扩散温度1300℃,保温时间13小时,但由于硅单晶来源不同,参数一致性差,有时扩的深度、浓度达不到要求,影响产品质量。我们采用提高温度和增长时间的办法,使结深增加,工艺最高达1310℃和18小时,也只能扩进80-87微米。
出处
《广西师范大学学报(哲学社会科学版)》
1972年第1期19-19,共1页
Journal of Guangxi Normal University(Philosophy and Social Sciences Edition)