期刊文献+

玻璃与铝在不同层数结构下的阳极键合界面应力特征分析

下载PDF
导出
摘要 采用共阳极接法对不同层数的玻璃与铝实现阳极键合,通过XRD分析结果显示,键合界面过渡层主要是3Al2O3·2SiO2,并运用MARC有限元软件对不同层数的键合结构进行模拟,通过对键合后产生的残余应力进行比较分析,结果表明:由于多层结构的对称性,最大残余应力发生在中心处的过渡层,研究结果为MEMS器件在多层封装结构设计中提供理论依据。
出处 《焊接技术》 北大核心 2014年第9期21-23,共3页 Welding Technology
基金 国家自然科学基金资助项目(51275332) 山西省研究生优秀创新项目(20123104)
  • 相关文献

参考文献9

  • 1Rajarshi Saha, Nathan Fritz, Sue Ann Bidstrup-Allen, et al.Packaging-compatible wafer level capping of MEMS devices[J]. Mi- croelectronic Engineering, 2013, 104: 75-84.
  • 2Piotr Mrozek. Glass-to-glass anodic bonding using TiNx interlayers for fully transparent device applications [J]. Sensors and Actuators A: Physical, 2012, 174(2): 139-143.
  • 3孟庆森,马秋平,刘翠荣.Pyrex/A1多层静电键合界面力学特征分析[J].功能材料信息,2009,6(1):16-19. 被引量:4
  • 4Epstein A H, Senturia S D and Anathasuresh G. Power MEMS and Microengines[C ]//Chicago: Proc of the IEEE Transducers. 97Con- ference, 1997: 753-756.
  • 5冯勇建.多层结构键合密封保护式电容压力传感器及制造方法:中国,CN200410078387.9.[P].2008-03-02.
  • 6罗君,杜军,唐群,毛昌辉.多层高储能密度玻璃陶瓷电容器的串式内电极设计[J].科学通报,2009,54(4):516-521. 被引量:2
  • 7鲁晓莹,刘翠荣,孟庆森,杨振宇,赵亚溥.Pyrex玻璃/铝多层阳极键合界面结构与力学分析[J].功能材料,2008,39(9):1466-1469. 被引量:8
  • 8张东梅,叶枝灿,丁桂甫,汪红.用于MEMS器件的键合工艺研究进展[J].电子工艺技术,2005,26(6):315-318. 被引量:12
  • 9Gwiy-Sang Chung, Jae-Min Kim. Anedic bonding characteristics of MLCA/Si-wafer using a sputtered Pyrex 7740s glass layer for MEMS applications[J]. Original Research Article Sensors and Ac- tuators A: Physical, 2004, 116(2): 352-356.

二级参考文献45

  • 1杨道虹,徐晨,李兰,吴苗,沈光地.Si/Ti/Au/Si键合技术研究及其应用[J].光电子.激光,2004,15(7):839-841. 被引量:6
  • 2谢生,陈松岩,何国荣,周海文,吴孙桃.InP/GaAs低温键合的新方法[J].功能材料,2005,36(3):416-418. 被引量:5
  • 3秦会峰,孟庆森,宋永刚,胡利方,张惠轩.硼硅玻璃与硅阳极键合界面形成机理分析[J].功能材料,2006,37(9):1369-1371. 被引量:6
  • 4孟庆森 薛锦.β″-Al2O3陶瓷与铝基复合材料场致扩散连接界面微观结构分析.硅酸盐学报,2002,30(4):447-450.
  • 5Pan M J, Rayne R J, Bender B A, et al. Development of advanced dielectrics for high energy density capacitors. In: Proc ASNE Electric Machines Technology Symposium, Philadelphia, PA, 2004
  • 6Baliga B J. The future of power semiconductor device technology. Proc IEEE, 2001, 89(6): 822-832
  • 7Sarjeant W J, Clelland I W, Price R A. Capacitive components for power electronics. Proc IEEE, 2001, 89(6): 846-855
  • 8Wan R E, Chert S T. On the mechanism of dielectric breakdown of HV capacitors. In: Proc 3rd ICPADM Int Conf, Tokyo, Japan, 1991:1061-1063
  • 9Du J, Jones B, Lanagan M. Preparation and characterization of dielectric glass-ceramics in Na20 PbO - Nb2O3 - SiO2 system. Mater Lett, 2005, 59:2821-2826
  • 10Picci G, Rabuffi M. Pulse handling capability of energy storage metallized film capacitors. IEEE Trans Plasma Sci, 2000, 28(5): 1603-1606

共引文献18

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部