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砷化镓表面摩擦化学去除的机理及应用研究
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摘要
1研究意义 砷化镓(GaAs)是最为重要的化合物半导体材料之一。砷化镓表面所形成的异质量子点具有光电转换效率高、量子限制效应强、量子干涉效应明显等特征,在新能源、光电探测、高性能激光器和量子计算等领域展示出强劲的应用前景(见图1)。例如,砷化镓衬底量子点太阳能电池的转换效率理论上可达50%以上,远高于硅太阳能电池的理论转换效率(30%)。
作者
余丙军
机构地区
机械学院
出处
《学术动态(成都)》
2014年第3期35-38,共4页
关键词
砷化镓
量子点
转换效率
硅太阳能电池
表面摩擦
量子限制效应
量子干涉
光电探测
化学作用
机械磨损
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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