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日本研制出nm级X射线膜厚测定仪
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出处
《微纳电子技术》
CAS
2002年第8期43-43,共1页
Micronanoelectronic Technology
关键词
日本
X射线
膜厚测定仪
分类号
TH821.1 [机械工程—精密仪器及机械]
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1
张立祥,王海涛,王尤海,夏庆峰.
排气方式及工艺参数对等离子体刻蚀a-Si均一性的影响[J]
.液晶与显示,2016,31(12):1112-1117.
被引量:1
微纳电子技术
2002年 第8期
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