美国科学家用电沉积法制备锂电池用锗纳米线

锗是一种重要的IV族半导体材料，可用来制造晶体管及各种电子装置。与硅相比。锗的电子迁移率是其2倍[3900cm2／（V·s）]，空穴迁移率是其4倍]1900cm2／（V·s）]，激子玻尔半径较大（24nm）和空穴有效质量较低。因为锗的载流子迁移率较高，所以它被认为可以替代硅作为CMoS晶体管的活性管道材料。