期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
一种栅控二极管结构的暗信号分析
下载PDF
职称材料
导出
摘要
采用了一种由P型衬底、N型沟道和P+沟道截止组成的栅控二极管结构,并就影响该结构暗信号的载流子产生复合过程的相关因素进行了分析,讨论了温度、栽流子寿命和表面态密度等因素与暗信号的关系。经分析,可以通过降低功耗或采用制冷措施来改良器件。同时,如果用于制作的栅控二极管结构的材料,载流子寿命长,在一定程度上也可以降低栅控二极管结构的暗信号,提升栅控二极管的品质。
作者
胡波
李秋利
机构地区
北方通用电子集团有限公司微电子部
出处
《集成电路通讯》
2014年第3期16-18,共3页
关键词
栅控二极管
载流子产生复合
暗信号
表面态
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
汤仙明,韩郑生,周小茵,海潮和,赵立新.
CMOS/SOI64-kB SRAM抗ESD实验[J]
.微电子学,2004,34(6):636-639.
被引量:2
2
丁扣宝,胡莲君,张秀淼.
电场增强载流子产生中产生电流与宽度的关系[J]
.微电子学,1995,25(6):56-58.
3
袁皓心,童斐明,汤定元.
Hg_(1-x)Cd_xTe N^+-P栅控二极管表面沟道漏电的理论和实验研究[J]
.红外与毫米波学报,1992,11(1):11-20.
被引量:2
4
罗静,颜燕,罗晟,洪根深,胡永强.
抗辐照SOI 256kB只读存储器的ESD设计[J]
.电子与封装,2011,11(9):27-31.
被引量:1
5
何进,Bich-Yen,Nguyen.
栅控二极管R—G电流法表征SOI—MOS器件埋氧层界面陷阱的敏感性分析[J]
.Journal of Semiconductors,2001,22(10):1292-1297.
6
刘文安,罗来华,赵文魁,沈文正.
TFSOI/CMOS ESD研究[J]
.微电子学与计算机,2000,17(6):36-39.
被引量:1
7
汤仙明,韩郑生.
部分耗尽SOI ESD保护电路的研究[J]
.电子器件,2012,35(2):208-211.
被引量:2
8
臧松干,王鹏飞,林曦,刘昕彦,丁士进,张卫.
一种新型高速嵌入式动态随机存储器[J]
.微电子学,2012,42(1):50-53.
9
何进,黄如,张兴,孙飞,王阳元.
Dependence of R-G Currenton Bulk Traps Characteristics and Silicon Film Structure in SOI Gated-Diode[J]
.Journal of Semiconductors,2001,22(1):18-24.
10
党冀萍.
6H-SiC反型沟道和掩埋沟道MOS器件的特性[J]
.半导体情报,1996,33(1):58-64.
集成电路通讯
2014年 第3期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部